

基于 InGaAs/InP 半导体材料、以雪崩光电二极管(APD)为核心器件的单光子级光信号探测设备。用于将近红外波段(典型 0.95–1.7μm)的单个光子转化为可识别的电信号,实现极弱光信号的精准捕捉。
应用领域
• 激光雷达
• 弱光探测
• 量子通信
• 生物成像
• 环境监测
产品详情
(1)InGaAs / InP 雪崩单光子探测器

产品特点:
• 集成三级 TEC,允许工作温度低至 -50℃
• 优化 0.95 至 1.7 μm 波长响应
产品参数:
• 探测效率(1064 nm / 1550 nm):≥ 50%
• 暗计数:≤ 1 KHz
(2)InGaAs / InP 单光子探测模块

产品特点:
• 死时间 ≥ 100 ns,可根据用户需求设定
• 高可靠性、高集成度
• 输出 LVTTL 电平,支持计数与时间相关计时,可根据用户需求定制
产品参数:
• 探测效率(1064 nm & 1550 nm):≥ 10%
• 暗计数:≤ 1 KHz
暂无
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