MEMS应用
AWG
光栅
Size | 6” 8” |
器件层厚度 | 100nm※～200μm |
各层的厚度精度 | Thin layer ±15nm Thick layer ±0.5μm |
BOX层 | Maximum 20μm |
型号 | Size | Device layer thickness | BOX layer thickness（SiO2） | refractivity（@1550nm） |
SI0615P01 | 6inch | 1mm±50um | 15-20um | 1.4458±0.0004 |
KST作为日本首家设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司，KST株式会社依赖领先的热氧化技术，该技术制备的超厚热氧化膜凭借其优异的表面清洁度和稳定的薄膜质量，在全球市场上占有领先的份额，可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品，这些产品能够帮助客户开发新型光通信及MEMS器件，并能够极大的提升量产良率。
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