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特点

当本征半导体的电特性通过将杂质引入晶体晶片的表面而改变时,就会制造出高功率激光二极管。当半导体层相遇时,电荷载流子结合,激光能量中的电流以光的形式释放。SemiNex提供功率输出最大在3W-25W之间的激光二极管,波长覆盖1310-1940nm,并且具有体积小、重量轻的优点。


应用

数据中心光通信
OTDR
ToF/FMCW汽车雷达
测风雷达
医疗美容
光纤传感


清单

型号

封装形式

波长

工作模式

输出功率

TO9-105

TO9

1550nm

CW

0.4W

TO9-108

TO9

1640nm

CW

0.25W

TO9-116

TO9

1575nm

CW

1.6W

TO9-117

TO9

1560nm

Pulsed

9W

TO9-126

TO9

1480nm

CW

1.8W

TO9-133

TO9

1525nm

Pulsed

14W

TO9-140

TO9

1650nm

CW

0.24W

TO9-148

TO9

1565nm

Pulsed

24W

TO9-149

TO9

1550nm

Pulsed

30W

TO9-170

TO9

1625nm

Pulsed

0.7W

TO9-174

TO9

1650nm

Pulsed

0.5W

TO9-176

TO9

1670nm

Pulsed

0.4W

TO9-181

TO9

1450nm

Pulsed

16W

TO9-182

TO9

1460nm

Pulsed

14W

TO9-184

TO9

1310nm

Pulsed

20W

TO9-185

TO9

1360nm

Pulsed

19W

TO9-248

TO9

1310nm

CW

0.4W

TO9-264

TO9

1550nm

Pulsed

15W

TO9-265

TO9

1550nm

Pulsed

35W

TO9-266

TO9

1550nm

Pulsed

52W

TO9-267

TO9

1550nm

Pulsed

75W

TO56-102

TO56

1550nm

Pulsed

14W

TO56-103

TO56

1550nm

Pulsed

24W

TO56-104

TO56

1550nm

Pulsed

27W

TO56-114

TO56

1310nm

Pulsed

19W

TO56-201

TO56

1550nm

Pulsed

9W

TO56-264

TO56

1550nm

Pulsed

21W

TO56-265

TO56

1550nm

Pulsed

35W

TO56-266

TO56

1550nm

Pulsed

52W

TO56-267

TO56

1550nm

Pulsed

75W

TO56x-264

TO56

1550nm

Pulsed

21W

TO56x-265

TO56

1550nm

Pulsed

35W

TO56x-266

TO56

1550nm

Pulsed

52W

TO56x-267

TO56

1550nm

Pulsed

75W

TO56m-300

TO56

1550nm

Pulsed

20W

TO56m-302

TO56

1550nm

Pulsed

8W

TO56s-264

TO56

1550nm

Pulsed

21W

TO56s-265

TO56

1550nm

Pulsed

35W

TO56s-266

TO56

1550nm

Pulsed

52W

TO56s-267

TO56

1550nm

Pulsed

75W

COC-101

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

30W

COC-105

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

9W

COC-106

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

24W

COC-107

Chip on Carrier

1560nm

Pulsed

14W

COC-264

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

20W

COC-265

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

35W

COC-266

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

52W

COC-267

Chip on Carrier

1550nm

Pulsed

75W

4PN-101

4-Pin

1460nm

CW

4W

4PN-104

4-Pin

1480nm

CW

3.8W

4PN-108

4-Pin

1550nm

CW

3.3W

4PN-116

4-Pin

1320nm

CW

4.5W

4PN-117

4-Pin

1375nm

CW

4.3W

4PN-134

4-Pin

1470nm

CW

5W

14BF-105

14-Pin Butterfly

1550nm

CW

0.2W

14BF-106

14-Pin Butterfly

1650nm

CW

0.18W

14BF-110

14-Pin Butterfly

1625nm

CW

0.16W

14BF-125

14-Pin Butterfly

1310nm

CW

0.28W

B-103

B-Mount

1310nm

CW

5.7W

B-104

B-Mount

1450nm

CW

5W

B-106

B-Mount

1470nm

CW

5W

B-115

B-Mount

1550nm

CW

0.6W

B-118

B-Mount

1550nm

CW

4.2W

B-122

B-Mount

1470nm

CW

7W

B-123

B-Mount

1375nm

CW

5.6W

B-124

B-Mount

1660nm

CW

0.45W

B-134

B-Mount

1650nm

CW

3.2W

B-146

B-Mount

1625nm

CW

0.4W

B-163

B-Mount

1310nm

CW

0.8W

B-165

B-Mount

1940nm

CW

1.1W

C-105

C-Mount

1480nm

CW

7W

C-106

C-Mount

1480nm

CW

5W

C-116

C-Mount

1565nm

CW

4.2W

C-121

C-Mount

1550nm

CW

0.6W

C-123

C-Mount

1625nm

CW

0.4W

C-124

C-Mount

1375nm

CW

5.6W

C-128

C-Mount

1450nm

CW

5W

C-130

C-Mount

1320nm

CW

5.7W

C-131

C-Mount

1650nm

CW

0.45W

C-132

C-Mount

1650nm

CW

3.5W

C-155

C-Mount

1310nm

CW

0.8W

C-156

C-Mount

1940nm

CW

1.1W

原厂介绍

美国SemiNex公司生产用于军事、医疗、美容和牙科用途的高功率红外激光二极管。采用高精度磷化铟半导体材料制成。在热效率和电效率方面提供了优异的性能,同时也提供了优异的光功率。更好的半导体性能,更高的效率,更小的尺寸和功耗。生产的二极管产品种类繁多,输出功率在3W到52W之间。提供非制冷封装的激光芯片、COS芯片、Bar条、多芯片模块、4 引脚光纤耦合器件、高热负荷器件以及独家专利的激光引擎。同样接受定制各种功率和波长的半导体激光产品。

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