硅基锗外延技术推动了硅基光电技术的发展——面向骨干网、接入网、数据中心互联、LTE网络等领域应用的近红外波长（850nm~1600nm）的光探测器，为客户提供了低成本光电器件解决方案。由于该技术采用CMOS工艺，在光器件产能、一致性、可靠性和制造成本方面对比传统技术有显著的提升，同时具备低电容、高带宽的产品特点。通过多年的研发投入，SiFotonics已经将PIN PD及APD产品性能提升到III-V族材料同类产品水平，可提供10G到25G的全系列产品。
SiFotonics 是国际硅光子器件与集成技术的开创者与领导者之一，为下一代高速光互联提供高性能、低成本硅光解决方案，包括锗硅探测器、硅光集成芯片及器件等。
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