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厚氧化膜晶圆
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产品简介

厚氧化膜晶圆

 

特征

超厚的热氧化层硅片:在平面光波导(AWG)制作过程中,处于最底层的SiO2膜被称之为Undercladding层,它对AWG的工艺良率有至关重要的影响。KST公司生产的超厚热氧化层硅片,由于具有优异的表面洁净措施以及稳定的薄膜质量,占据了全球AWG市场的最大份额。

 

规格参数

项目规格
膜厚20um±5%(最大膜厚度)
面内均一性±0.5%
面间均一性±0.5%
折射率(@1550nm)1.4458±0.0001

 

标准品一览

尺寸晶圓厚度熱氧化膜厚度
4inch525um 1mm15um、20um
6inch625um 675um 1mm15um、20um
8inch725um15um、20um
12inch775um15um

 

折射率面内分布表面粗度資料

 

原厂介绍

作为日本首家设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司,KST株式会社依赖领先的热氧化技术可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品,这些产品能够帮助客户开发新型光通信及MEMS器件,并能够极大的提升量产良率。


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