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SOI晶圆
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产品简介

SOI晶圆

KST公司利用独有的生长工艺,能够制备氧化层厚达20um的SOI(Silicon on Insulator)晶圆。除了常规的SOI晶圆之外,KST还可以根据客户要求制作具有腔体结构的SOI晶圆(Cavity SOI)。

 

产品应用

大规模集成电路/功率器件/MEMS器件/硅光集成

 

产品规格

尺寸4inch 6inch 8inch
活性层膜厚度100nm※~200μm
面内厚度精度薄膜±15nm 厚膜±0.5μm
BOX层厚度最大 20μm

 

Thick-BOX® SOI晶圆的使用例

原厂介绍

作为日本首家设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品的公司,KST株式会社依赖领先的热氧化技术可以为客户提供超厚氧化膜的晶圆产品,这些产品能够帮助客户开发新型光通信及MEMS器件,并能够极大的提升量产良率。


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